2 "-6 " GaAs Υπόστρωμα

Γκοφρέτα GaAs ή γκοφρέτα υποστρώματος GaAs. Γκοφρέτα 2"GaAs, γκοφρέτα 3"GaAs, γκοφρέτα 4"GaAs, γκοφρέτα 6"GaAs
Γκοφρέτα GaAs για VCSEL, Γκοφρέτα GaAs για LD, Γκοφρέτα GaAs για LED, Γκοφρέτα GaAs για Μικροηλεκτρονικά.

Αποστολή ερώτησής

Αρσενίδιο μονοκρύσταλλου γαλλίου

Γκοφρέτα GaAs ή γκοφρέτα υποστρώματος GaAs. Γκοφρέτα 2"GaAs, γκοφρέτα 3"GaAs, γκοφρέτα 4"GaAs, γκοφρέτα 6"GaAs

Γκοφρέτα GaAs για VCSEL, Γκοφρέτα GaAs για LD, Γκοφρέτα GaAs για LED, Γκοφρέτα GaAs για Μικροηλεκτρονικά.

Γκοφρέτες υποστρώματος GaAs
ΕΙΔΟΣ	Μονάδα	Προδιαγραφές Εφαρμογών LD	Προδιαγραφές Εφαρμογών LED	Προδιαγραφές μικροηλεκτρονικής
Τύπος συμπεριφοράς		n-τύπου	Τύπος P/N	-
Μέθοδος ανάπτυξης κρυστάλλων		VGF	VGF	VGF
Dopant		Σι	Zn/Si	Ανεκμετάλλευτη
Διάμετρος	ίντσα	2", 3", 4" και 6"	2", 3", 4" και 6"	2", 3", 4" και 6"
Προσανατολισμός γκοφρέτας		(100)±0,1 βαθμός	(100)±0,5 μοίρες	(100)±0,5 μοίρες
ΑΠ/ΕΑΝ		ΗΠΑ ή EJ	ΗΠΑ ή EJ	US, EJ ή εγκοπή
Συγκέντρωση Carrire	%2ΕΚΜ%Γ2%Β3	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Αντίσταση (σε RT)	ωμ.εκ	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Κινητικότητα	cm²/έναντι	>1500	5-120/>1000	>4000
Etch Pit Density (EPD)	%2ΕΚΜ²	<500	<5000	<5000
Σήμανση με λέιζερ		Κατόπιν αιτήματος	Κατόπιν αιτήματος	Κατόπιν αιτήματος
Πάχος	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV (P/P)	μm	Μικρότερο ή ίσο με 5	Μικρότερο ή ίσο με 5	Μικρότερο ή ίσο με 4
TTV (P/E)	μm	Μικρότερο ή ίσο με 10	Μικρότερο ή ίσο με 10	Μικρότερο ή ίσο με 10
Στημόνι	μm	Μικρότερο ή ίσο με 10	Μικρότερο ή ίσο με 10	Μικρότερο ή ίσο με 10
Επιφάνεια	Πλευρά 1 Πλευρά 2	Αμεμπτος Γυαλισμένο/Χαρακωμένο	Αμεμπτος Γυαλισμένο/Χαρακωμένο	Αμεμπτος Γυαλισμένο/Χαρακωμένο
Επί-έτοιμο		Ναί	Ναί	Ναί
Πακέτο		Δοχείο κασέτας ή μονής γκοφρέτας	Δοχείο κασέτας ή μονής γκοφρέτας	Δοχείο κασέτας ή μονής γκοφρέτας
* Το πάχος και ο προσανατολισμός της γκοφρέτας μπορούν να καθοριστούν.